首页>科学探索>科技前沿

2021/5/11 19:01:54来源：IT之家作者：姜戈责编：姜戈

IT之家 5 月 11 日消息 据参考消息，湖南大学物理与微电子科学学院刘渊教授团队使用范德华金属集成法，成功展示了超短沟道垂直场效应晶体管原型器件，其有效沟道长度最短可小于 1 纳米。

据报道，该研究成果为“后摩尔时代”半导体器件性能提升增添了希望。

IT之家了解到，日前，这一研究成果已发表在《自然・电子学》（Nature Electronics）杂志上。论文的第一作者为湖南大学物理与微电子科学学院博士生刘丽婷，刘渊教授为通讯作者。

相关文章

关键词：纳米，晶体管，研究

IBM 2nm 芯片弯道超车了吗：不，他连车都没有

IBM 研制出全球首款 2nm 芯片：指甲大小容纳 500 亿个晶体管，智能手机电池可四天一充

IBM 发布全球首个 2nm 芯片制造技术，较 7nm 速度快 45%，能效高 75%

新型类脑计算设备可模拟人类联想学习：使用突触晶体管，容错率高

全球首个完全可回收印刷电子产品诞生，帮助解决电子垃圾泛滥问题

最新研究成果：用一台 iPhone XS Max 充当摄像头，机械外骨骼可模仿人类走路